Samsung, NAND flash bellekte enerji tüketimini radikal biçimde azaltan yeni bir yaklaşımı duyurdu. 27 Kasım 2025'te Nature'da yayımlanan çalışma, ferroelektrik transistörleri oksit yarı iletkenlerle birleştirerek geleneksel tasarımlara kıyasla yüzde 96'ya varan güç düşüşü sağlıyor. 286 katmanlı 3D NAND yığınlarında rapor edilen yüzde 94 tasarruf, akıllı telefonlardan AI veri merkezlerine kadar geniş bir alanda dengeleri değiştirebilir.

Ferroelektrik yaklaşımın farkı ne?

Samsung'un 34 araştırmacısının imzasını taşıyan buluş, hücre kontrolünde ferroelektrik malzemelerin içsel polarizasyonundan yararlanıyor. Bu sayede transistörü açmak için gereken eşik gerilimi neredeyse sıfıra inerken, oksit yarı iletkenlerin “yüksek eşik” dezavantajı akım sızıntılarını bastıran bir avantaja dönüşüyor. Üstelik yeni tasarım, hücre başına 5 bit depolama kapasitesine ulaşarak yoğunluğu artırıyor; daha az enerjiyle daha fazla veri mümkün hale geliyor.

Kısa bir değerlendirme: Daha serin çalışan çipler, daha uzun pil ömrü ve daha düşük işletme maliyeti anlamına geliyor. Kulağa iddialı geliyor, çünkü öyle.

Akıllı telefonlardan AI veri merkezlerine

NAND katman sayıları 1000'in üzerine tırmanırken artan enerji ihtiyacı, sektörün en büyük darboğazına dönüşmüştü. Samsung'un ferroelektrik mimarisi, bu eğilimi tersine çevirme potansiyeli taşıyor. Akıllı telefonlarda daha uzun ekran süreleri ve düşük ısınma; AI veri merkezlerinde ise watt başına performans artışı ve soğutma yükünün azalması bekleniyor. Kısacası, aynı kapasiteyi sağlamak için gereken enerji dramatik biçimde küçülüyor.

Önümüzdeki adım, bu laboratuvar başarısını üretim ölçeğine taşımak ve denetim katmanlarını mevcut denetleyicilerle uyumlu hale getirmek olacak. Zamanlaması üretim planlarına bağlı, ancak yön belli: enerji verimliliği artık depolamanın ana performans metriği. Bu gelişme, teknolojiyle doğanın kesiştiği o nadir anlardan biri olabilir.